KSH42CI Todos los transistores

 

KSH42CI . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSH42CI
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO252

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KSH42CI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:53K  fairchild semi
 ksh42c.pdf

KSH42CI KSH42CI

KSH42CGeneral Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP42CD-PAK I-PAK111.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Coll

 8.2. Size:249K  inchange semiconductor
 ksh42c.pdf

KSH42CI KSH42CI

isc Silicon PNP Power Transistor KSH42CDESCRIPTIONLead formed for surface mount applications(NO suffix)Straight lead(IPAK,Isuffix)Electrically similar to popular TIP42C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose amplifierLow speed switching applicationsABSOLUTE MAXI

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