KSH42CI Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSH42CI  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO252

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KSH42CI datasheet

 8.1. Size:53K  fairchild semi
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KSH42CI

KSH42C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP42C D-PAK I-PAK 11 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Coll

 8.2. Size:249K  inchange semiconductor
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KSH42CI

isc Silicon PNP Power Transistor KSH42C DESCRIPTION Lead formed for surface mount applications(NO suffix) Straight lead(IPAK, I suffix) Electrically similar to popular TIP42C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS General purpose amplifier Low speed switching applications ABSOLUTE MAXI

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