KSP06 Todos los transistores

 

KSP06 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP06
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSP06 Datasheet (PDF)

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KSP06

KSP05/06Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KSP05: 60VKSP06: 80V Collector Dissipation: PC (max)=625mW Complement to KSP55/56TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KSP05 60 V: KSP06 80 VVCEO Col

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History: BTN3904N3 | FZT2907A | 2SA1034

 

 
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