KSP06 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP06
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO92
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KSP06 Datasheet (PDF)
ksp05 ksp06.pdf
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KSP05/06Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KSP05: 60VKSP06: 80V Collector Dissipation: PC (max)=625mW Complement to KSP55/56TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KSP05 60 V: KSP06 80 VVCEO Col
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