KSP13 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP13
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 125 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000
Encapsulados: TO92
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KSP13 datasheet
ksp13.pdf
KSP13/14 Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage VCES=30V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage
ksp13.pdf
NPN EPITAXIAL KSP13/14 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTON TRANSISTOR TO-92 Collector-Emitter Voltage VCES=30V Collector Dissipation PC (max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCES 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 10 V Collector Current IC 500 mA Collector Dissipation P
Otros transistores... KSH47 , KSH47I , KSH50 , KSH50I , KSP05 , KSP06 , KSP10 , KSP12 , S9018 , KSP14 , KSP17 , KSP20 , KSP2222 , KSP2222A , KSP24 , KSP25 , KSP26 .
History: ECG88
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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