KSP13 Todos los transistores

 

KSP13 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP13
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

KSP13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  fairchild semi
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KSP13

KSP13/14Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage: VCES=30V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mWTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCES Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage

 ..2. Size:43K  samsung
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KSP13

NPN EPITAXIALKSP13/14 SILICON DARLINGTON TRANSISTORDARLINGTON TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCES=30V Collector Dissipation:PC (max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 30 VCollector-Emitter Voltage VCES 30 VEmitter-Base Voltage VEBO 10 VCollector Current IC 500 mACollector Dissipation P

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC2738 | BC409 | 2SA197 | 2SC218 | DTA143ESA | ECG2429 | 2SC1756C

 

 
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