KSP13 Todos los transistores

 

KSP13 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP13
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de KSP13

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KSP13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  fairchild semi
 ksp13.pdf pdf_icon

KSP13

KSP13/14Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage: VCES=30V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mWTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCES Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage

 ..2. Size:43K  samsung
 ksp13.pdf pdf_icon

KSP13

NPN EPITAXIALKSP13/14 SILICON DARLINGTON TRANSISTORDARLINGTON TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCES=30V Collector Dissipation:PC (max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 30 VCollector-Emitter Voltage VCES 30 VEmitter-Base Voltage VEBO 10 VCollector Current IC 500 mACollector Dissipation P

Otros transistores... KSH47 , KSH47I , KSH50 , KSH50I , KSP05 , KSP06 , KSP10 , KSP12 , 2SD1555 , KSP14 , KSP17 , KSP20 , KSP2222 , KSP2222A , KSP24 , KSP25 , KSP26 .

History: 3CG709A

 

 
Back to Top

 


 
.