KSP43 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP43
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSP43
KSP43 Datasheet (PDF)
ksp42 ksp43.pdf
KSP42/43High Voltage Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP42: 300VKSP43: 200V Collector Power Dissipation: PC(max)=625mW TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KSP42 300 V : KSP43 200 VVCEO Collector-Emitter V
ksp42bu ksp42ta ksp43bu ksp43ta.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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