KSP62 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP62
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 125 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20000
Encapsulados: TO92
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KSP62 datasheet
ksp62.pdf
KSP62/63/64 Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage VCES=KSP62 20V KSP63/64 30V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSP62 -20 V KSP63/64 -30 V VCEO Co
Otros transistores... KSP2907A , KSP42 , KSP43 , KSP44 , KSP45 , KSP5172 , KSP55 , KSP56 , 2N5551 , KSP63 , KSP64 , KSP6520 , KSP6521 , KSP75 , KSP76 , KSP77 , KSP8097 .
History: BDX91 | 2SC1978 | BDY79 | BDY39 | MA6101 | BDY74 | BDY80A
History: BDX91 | 2SC1978 | BDY79 | BDY39 | MA6101 | BDY74 | BDY80A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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