KSP6521 Todos los transistores

 

KSP6521 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSP6521

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TO92

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KSP6521 datasheet

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KSP6521

KSP6520/6521 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO=25V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 4 V IC

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History: BC859BR

 

 

 

 

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