KSP8099 Todos los transistores

 

KSP8099 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSP8099

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92

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KSP8099 datasheet

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KSP8099

KSP8098/8099 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO= KSP8098 60V KSP8099 80V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCB

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