KSP8099 Todos los transistores

 

KSP8099 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP8099
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSP8099 Datasheet (PDF)

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KSP8099

KSP8098/8099Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO= KSP8098: 60VKSP8099: 80V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCB

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History: KTA1504 | 2SA397 | MJ10012T | 2SA1069-Z | 2S11 | PDTC143XE | BD175-6

 

 
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