KSP8599 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP8599
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de KSP8599
KSP8599 Datasheet (PDF)
ksp8598 ksp8599.pdf

KSP8598/8599Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO= KSP8598: 60VKSP8599: 80V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCB
Otros transistores... KSP6521 , KSP75 , KSP76 , KSP77 , KSP8097 , KSP8098 , KSP8099 , KSP8598 , TIP3055 , KSP92 , KSP93 , KSR1001 , KSR1002 , KSR1003 , KSR1004 , KSR1005 , KSR1006 .
History: GT323V | KT852G | 2SA50 | OC170 | FMMT5551 | MRF620 | D33D25
History: GT323V | KT852G | 2SA50 | OC170 | FMMT5551 | MRF620 | D33D25



Liste
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