KSP8599 Todos los transistores

 

KSP8599 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP8599
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSP8599 Datasheet (PDF)

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KSP8599

KSP8598/8599Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO= KSP8598: 60VKSP8599: 80V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCB

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History: D62T3575 | 2N5691

 

 
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