KSP8599 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSP8599
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO92
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KSP8599 datasheet
ksp8598 ksp8599.pdf
KSP8598/8599 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO= KSP8598 60V KSP8599 80V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCB
Otros transistores... KSP6521 , KSP75 , KSP76 , KSP77 , KSP8097 , KSP8098 , KSP8099 , KSP8598 , A1015 , KSP92 , KSP93 , KSR1001 , KSR1002 , KSR1003 , KSR1004 , KSR1005 , KSR1006 .
History: S8050H | S8050L
🌐 : EN ES РУ
Liste
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