KSR1108 Todos los transistores

 

KSR1108 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSR1108

Código: R08

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 56

Encapsulados: SOT23

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KSR1108 datasheet

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KSR1108

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KSR1108

KSR1107 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =22K , R2=47K ) Complement to KSR2107 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R07 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

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KSR1108

KSR1109 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=4.7K ) Complement to KSR2109 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R09 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter

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KSR1108

KSR1105 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=10K ) Complement to KSR2105 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R05 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

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