KSR2108 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSR2108
Código: R58
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 56
Encapsulados: SOT23
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KSR2108 datasheet
ksr2101.pdf
KSR2101 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=4.7K ) Complement to KSR1101 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R51 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted
ksr2107.pdf
KSR2107 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=22K , R2=47K ) Complement to KSR1107 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R57 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted
ksr2104.pdf
KSR2104 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to KSR1104 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R54 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted
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