KST10 Todos los transistores

 

KST10 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KST10

Código: 3E

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 650 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO236

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KST10 datasheet

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KST10

KST10 VHF/UHF Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 3 V PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Temperature 150 C RTH(j-a) Thermal Resis

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KST10

KST10 TRANSISTOR (NPN) SOT 23 FEATURES VHF/UHF Transistor MARKING 3E1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 30 V CBO 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 25 V CEO V Emitter-Base Voltage 3 V EBO I Collector Current 40 mA C PC Collector Power Dissipation 350 mW R Therma

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