KST2222 Todos los transistores

 

KST2222 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KST2222
   Código: 1B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 57
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KST2222 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:179K  fairchild semi
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KST2222

May 2006KST2222AtmNPN Epitaxial Silicon TransistorGeneral Purpose TransistorMarking3 1P2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 600 mAPC Collector Power Dissipa

 0.2. Size:179K  onsemi
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KST2222

May 2006KST2222AtmNPN Epitaxial Silicon TransistorGeneral Purpose TransistorMarking3 1P2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 600 mAPC Collector Power Dissipa

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History: 2SB507 | 3N882GP

 

 
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