KST42 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KST42
Código: 1D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: SOT23
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KST42 datasheet
kst42 kst43.pdf
KST42/43 High Voltage Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage KST42 300 V KST43 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage KST42 300 V KST43 200 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 500 mA PC C
kst42.pdf
KST42/43 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO KST42 300 V KST43 200 V Collector-Emitter Voltage VCEO KST42 300 V KST43 200 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 500 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 Th
Otros transistores... KST2484 , KST2907 , KST2907A , KST3903 , KST3904 , KST4123 , KST4124 , KST4126 , BC547 , KST43 , KST4401 , KST4403 , KST5086 , KST5087 , KST5088 , KST5089 , KST5179 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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