KST92 Todos los transistores

 

KST92 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KST92
   Código: 2D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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KST92 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  fairchild semi
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KST92

September 2009KST92/KST93PNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures High Voltage Transistor High Current, Wide SOA 32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KST92 -300 V : KST93 -200 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KST92 -300 V : KST93 -200 V

 ..2. Size:46K  fairchild semi
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KST92

KST92/933High Voltage Transistor2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KST92 -300 V : KST93 -200 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KST92 -300 V : KST93 -200 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -500 mA

 ..3. Size:21K  samsung
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KST92

KST92/93 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST92 -300 V :KST93 -200 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST92 -300 V :KST93 -200 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 15

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