2N4022 Todos los transistores

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2N4022 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N4022

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 250

Empaquetado / Estuche: TO77-1

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N4022

 

2N4022 Datasheet (PDF)

5.1. 2n4028.pdf Size:10K _semelab

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2N4028 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 60V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 1A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV a

5.2. 2n4027.pdf Size:10K _semelab

2N4022

2N4027 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 80V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 1A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV a

5.3. 2n4029.pdf Size:39K _microelectronics

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