KT815V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KT815V
Código: КТ815В
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Búsqueda de reemplazo de KT815V
KT815V Datasheet (PDF)
kt815a.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor KT815ADESCRIPTIONHigh Collector Current-I = 1.5ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: D7A31 | BF463BA | 2SA675 | MJH10012 | GT311B | 40236 | 2SC821Z
History: D7A31 | BF463BA | 2SA675 | MJH10012 | GT311B | 40236 | 2SC821Z



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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