2N4125 Todos los transistores

 

2N4125 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4125
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92
 
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2N4125 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  motorola
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2N4125

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N4125/DAmplifier TransistorsPNP Silicon2N41252N4126COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol 2N4125 2N4126 UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 30 25 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 25 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 VdcCollector

 ..2. Size:61K  fairchild semi
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2N4125

2N4125C TO-92BEPNP General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents of 10 A to 100 mA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsV Collector-Emitter Voltage 30 VCEOV Collector-Base Voltage 30 VCBOV Emitter-Base Voltage 4.0 VEBOI Collector Cur

 ..3. Size:80K  central
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2N4125

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

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