2N413 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N413
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO5
- Selección de transistores por parámetros
2N413 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N4121 , 2N4122 , 2N4123 , 2N4124 , 2N4125 , 2N4126 , 2N4127 , 2N4128 , TIP42 , 2N4130 , 2N4131 , 2N4132 , 2N4133 , 2N4134 , 2N4135 , 2N4136 , 2N4137 .
History: 2SD1306 | ECG238 | 2SB653A | 2SC2947 | BC231B | 2N2311 | 2N569
History: 2SD1306 | ECG238 | 2SB653A | 2SC2947 | BC231B | 2N2311 | 2N569



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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