KT9121G Todos los transistores

 

KT9121G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT9121G
   Código: КТ9121Г
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 42 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 13 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 180 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2700 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 6
 

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KT9121G Datasheet (PDF)

 9.1. Size:706K  russia
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KT9121G

 9.2. Size:96K  syntez microelectronics
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KT9121G

Syntez MicroelectronicsKT9128ACSILICON BIPOLAR NPN POWER TRANSISTOR200 W, in the 30 175 MHz Frequency Range ________________________________________________The silicon bipolar n-p-n transistor is designed forwideband largesignal output and driver amplifierstages in the 30 to 175 MHz frequency range.Features (At 175 MHz): Output Power: 200 W Power Gain: 7.5 dB Min

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History: DTB113ZCA | CSA1048O | AC187 | DTB114EN3 | 2SC941R | DRA2514E | AD-SS8550-J

 

 
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