KT9121V Todos los transistores

 

KT9121V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KT9121V
   Código: КТ9121В
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 42 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 180 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2700 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 6
     - Selección de transistores por parámetros

 

KT9121V Datasheet (PDF)

 9.1. Size:706K  russia
 kt912a-b 2t912a-b.pdf pdf_icon

KT9121V

 9.2. Size:96K  syntez microelectronics
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KT9121V

Syntez MicroelectronicsKT9128ACSILICON BIPOLAR NPN POWER TRANSISTOR200 W, in the 30 175 MHz Frequency Range ________________________________________________The silicon bipolar n-p-n transistor is designed forwideband largesignal output and driver amplifierstages in the 30 to 175 MHz frequency range.Features (At 175 MHz): Output Power: 200 W Power Gain: 7.5 dB Min

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BD133 | 2SC5321 | BD230-6

 

 
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