KTN2907 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTN2907

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92

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KTN2907 datasheet

 ..1. Size:379K  kec
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KTN2907

SEMICONDUCTOR KTN2907/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAX E K VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D Complementary to the KTN2222/2222A. D 0.45 E 1.00

 0.1. Size:577K  kec
 ktn2907s as.pdf pdf_icon

KTN2907

SEMICONDUCTOR KTN2907S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES L B L DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. C 1.30 MAX 2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.

 0.2. Size:704K  kec
 ktn2907s ktn2907as.pdf pdf_icon

KTN2907

SEMICONDUCTOR KTN2907S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ Low Leakage Current A 2.93 0.20 + B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 Low Saturation Voltage E 2.40+0.30/-0.20 1 VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15m

 0.3. Size:43K  kec
 ktn2907u au.pdf pdf_icon

KTN2907

SEMICONDUCTOR KTN2907U/AU TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ A + 2.00 0.20 D 2 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Low Saturation Voltage 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15

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