KTN2907S Todos los transistores

 

KTN2907S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTN2907S
   Código: ZD_ZH
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KTN2907S Datasheet (PDF)

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KTN2907S

SEMICONDUCTOR KTN2907S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA.

 ..2. Size:704K  kec
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KTN2907S

SEMICONDUCTOR KTN2907S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_Low Leakage Current A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05Low Saturation Voltage E 2.40+0.30/-0.201: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15m

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 ktn2907 a.pdf pdf_icon

KTN2907S

SEMICONDUCTOR KTN2907/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESLow Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXDComplementary to the KTN2222/2222A.D 0.45E 1.00

 7.2. Size:43K  kec
 ktn2907u au.pdf pdf_icon

KTN2907S

SEMICONDUCTOR KTN2907U/AUTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EFEATURESM B MDIM MILLIMETERSLow Leakage Current_A+2.00 0.20D2: ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V._+B 1.25 0.15_+C 0.90 0.10Low Saturation Voltage 31D 0.3+0.10/-0.05_E +: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15

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