2N426 Todos los transistores

 

2N426 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N426
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N426 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N4264/DGeneral Purpose TransistorNPN Silicon2N4264COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 15 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current Cont

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N4264/DGeneral Purpose TransistorsNPN Silicon2N42642N4265COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol 2N4264 2N4265 UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 15 12 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollec

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2N426

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http: //www.microsemi.com PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/511 DEVICES LEVELS 2N4261 2N4261UB JAN2N4261UBC * JANTXJANTXV* Avail

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