2N427 Todos los transistores

 

2N427 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N427
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO5

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N427

 

2N427 Datasheet (PDF)

 0.2. Size:170K  inchange semiconductor
2n4273.pdf

2N427
2N427

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4273DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for switching regulator applications where highfrequency and high voltage swings and requiredABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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Liste

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