2N4278 Todos los transistores

 

2N4278 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4278
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 170 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 60 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.12 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2N4278 Datasheet (PDF)

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2N4278

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2N4278

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4273DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for switching regulator applications where highfrequency and high voltage swings and requiredABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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