2N4299 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4299
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO66
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N4299
2N4299 Datasheet (PDF)
..1. Size:65K central
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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
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isc Silicon NPN Power Transistor 2N4298DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for switching regulator applications where highfrequency and high voltage swings and requiredABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
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