MJH13091 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJH13091
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 750 V
Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 350 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
Paquete / Cubierta: TOP3
- Selección de transistores por parámetros
MJH13091 Datasheet (PDF)
mjh13090 mjh13091.pdf

isc Silicon NPN Power Transistors MJH13090/13091DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)MJH13090CEO(SUS)= 450V(Min)MJH13091High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching ininductive circuits where fall time is critic
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: CMBT9014D | 2SC3322 | NSS40301MZ4T3G | DTC124XK | 2N628 | KSD5012 | TD13002SMD
History: CMBT9014D | 2SC3322 | NSS40301MZ4T3G | DTC124XK | 2N628 | KSD5012 | TD13002SMD



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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