2N4347 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4347
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
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2N4347 datasheet
2n4347.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N4347 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for application in industrial and commercial equipment including high fidelity audio amplifier,series and shunt regulators and
2n3442-2n4347.pdf
2N3442 2N4347 HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS NPN silicon transistors designed for applications in industrial and commercial equipment including high fidelity audio amplifiers, series and shunts regulators and power switches. Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc 2N4347 Collector-Emitter Susta
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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