2N4355 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4355
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: TO106
Búsqueda de reemplazo de 2N4355
2N4355 Datasheet (PDF)
2n4352.pdf

P-Channel Enhancement ModeMOSFET Amplifier/SwitchCORPORATION2N4352FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Low ON Resistance Low Capacitance Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V High Gain Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V P-Chann
2n4351.pdf

2N4351 N-CHANNEL MOSFET Linear Integrated Systems ENHANCEMENT MODE FEATURES DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351 HIGH DRAIN CURRENT ID = 100mA TO-72HIGH GAIN gfs = 1000S BOTTOM VIEWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 @ 25 C (unless otherwise stated) G 2 3 DMaximum Temperatures Storage Temperature -65 to +200 C Operating Junction Temperature -55 to +150 C 1 4S
Otros transistores... 2N433 , 2N434 , 2N4346 , 2N4347 , 2N4348 , 2N4349 , 2N4350 , 2N4354 , 2SC5200 , 2N4356 , 2N4357 , 2N4358 , 2N4359 , 2N438 , 2N4383 , 2N4384 , 2N4385 .
History: 2N5660 | 2SA984K | 2SD681
History: 2N5660 | 2SA984K | 2SD681



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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