2N4385 Todos los transistores

 

2N4385 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4385
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N4385 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:185K  inchange semiconductor
 2n4387.pdf pdf_icon

2N4385

isc Silicon PNP Power Transistor 2N4387DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAll semelab hermetically sealed products,can be processedin accordance with the requirements of BS,CECC,andJAN,JANTX and JANTXV and JA

 9.2. Size:185K  inchange semiconductor
 2n4388.pdf pdf_icon

2N4385

isc Silicon PNP Power Transistor 2N4388DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAll semelab hermetically sealed products,can be processedin accordance with the requirements of BS,CECC,andJAN,JANTX and JANTXV and JA

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