2N4387 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4387
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 25 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 275 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO66
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2N4387 datasheet
2n4387.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2N4387 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS All semelab hermetically sealed products,can be processed in accordance with the requirements of BS,CECC,and JAN,JANTX and JANTXV and JA
2n4388.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2N4388 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS All semelab hermetically sealed products,can be processed in accordance with the requirements of BS,CECC,and JAN,JANTX and JANTXV and JA
Otros transistores... 2N4357 , 2N4358 , 2N4359 , 2N438 , 2N4383 , 2N4384 , 2N4385 , 2N4386 , 2N5401 , 2N4388 , 2N4389 , 2N438A , 2N439 , 2N4390 , 2N4395 , 2N4396 , 2N4397 .
History: FTA1662
History: FTA1662
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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