2N4389 Todos los transistores

 

2N4389 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N4389
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 12 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 9 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO59
 

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2N4389 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:185K  inchange semiconductor
 2n4387.pdf pdf_icon

2N4389

isc Silicon PNP Power Transistor 2N4387DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAll semelab hermetically sealed products,can be processedin accordance with the requirements of BS,CECC,andJAN,JANTX and JANTXV and JA

 9.2. Size:185K  inchange semiconductor
 2n4388.pdf pdf_icon

2N4389

isc Silicon PNP Power Transistor 2N4388DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAll semelab hermetically sealed products,can be processedin accordance with the requirements of BS,CECC,andJAN,JANTX and JANTXV and JA

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History: 2N678B | EFT319 | 2N658 | BC860A | 2N5941T | 2N657A | 2STA2120

 

 
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