MMBT3638 Todos los transistores

 

MMBT3638 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMBT3638
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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MMBT3638 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:176K  motorola
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MMBT3638

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT3640LT1/DSwitching TransistorMMBT3640LT1COLLECTORPNP Silicon3Motorola Preferred Device1BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 12 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 12 VdcSOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltage V

 8.2. Size:47K  fairchild semi
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MMBT3638

MMBT3646Switching Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCES Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 5IC Collector Current (DC) - Continuous 300 mAPD Total Device Dissipation @ TA=25C 625

 8.3. Size:688K  fairchild semi
 pn3640 mmbt3640.pdf pdf_icon

MMBT3638

PN3640 MMBT3640CETO-92CB BSOT-23EMark: 2JPNP Switching TransistorThis device is designed for very high speed saturated switchingat collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. SeePN4258 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 12 VVCBO Collector-Base Voltage

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History: 2N6092

 

 
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