2N1111 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1111
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 13
Paquete / Cubierta: TO22
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1111
2N1111 Datasheet (PDF)
fdfm2n111.pdf
August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050