MMBT3643 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMBT3643
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO236
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MMBT3643
MMBT3643 Datasheet (PDF)
mmbt3640.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT3640LT1/DSwitching TransistorMMBT3640LT1COLLECTORPNP Silicon3Motorola Preferred Device1BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 12 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 12 VdcSOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltage V
mmbt3646.pdf
MMBT3646Switching Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCES Collector-Emitter Voltage 40 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 5IC Collector Current (DC) - Continuous 300 mAPD Total Device Dissipation @ TA=25C 625
pn3640 mmbt3640.pdf
PN3640 MMBT3640CETO-92CB BSOT-23EMark: 2JPNP Switching TransistorThis device is designed for very high speed saturated switchingat collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. SeePN4258 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 12 VVCBO Collector-Base Voltage
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
