2N1111A Todos los transistores

 

2N1111A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1111A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO22
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N1111A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:286K  fairchild semi
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2N1111A

August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

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History: BC337A-16 | 2SC2257A | TV37

 

 
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