2N1111A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1111A

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO22

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2N1111A datasheet

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2N1111A

August 2005 FDFM2N111 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Applications FDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck Converter Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a Features MicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

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