MMBTA70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMBTA70
   Código: 2C_M2C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.33 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO236

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MMBTA70

MMBTA70 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA70LT1/DGeneral Purpose TransistorMMBTA70LT1COLLECTORPNP Silicon31BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 Vdc CASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)Collector Current Continuous IC 100 mAdc

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MMBTA70LT1GGeneral Purpose TransistorPNP SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit1Collector-Emitter Voltage VCEO -40 VdcBASEEmitter-Base Voltage VEBO -4.0 Vdc2Collector Current - Continuous IC -100 mAdcEMITTERTHERMAL CHARACTERISTICSCharacterist

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