MMPQ6842 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMPQ6842
Material: Si
Polaridad de transistor: p*n
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.72 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: SOP16
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MMPQ6842 datasheet
mmpq6700.pdf
MMPQ6700 B4 E4 B3 E3 B2 E2 B1 E1 C4 C4 C3 C3 C2 C2 SOIC-16 C1 C1 pin #1 Mark MMPQ6700 TRANSISTOR TYPE C1 B1 E1 & C2 B2 E2 NPN C3 B3 E3 & C4 B4 E4 PNP Quad NPN & PNP General Purpose Amplifier These complementary devices can be used in switches with collector currents of 10 A to 100 mA. These devices are best used when space is the primary consideration. Sourced from
mmpq6700.pdf
MMPQ6700 Quad Complementary Pair Transistor PNP/NPN Silicon MAXIMUM RATINGS http //onsemi.com Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCB 40 Vdc 16 Emitter-Base Voltage VEB 5.0 Vdc Collector Current IC 200 mAdc 1 Continuous Four CASE 751B-05, STYLE 4 Each Transistors SO-16 Transistor Equal Power Total Power Dissipation PD W
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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