2N1111B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1111B
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
Tensión colector-base (Vcb): 27 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO22
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1111B
2N1111B Datasheet (PDF)
9.1. Size:286K fairchild semi
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August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack
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