2N1111B Todos los transistores

 

2N1111B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N1111B
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
   Tensión colector-base (Vcb): 27 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.005 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO22
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N1111B

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N1111B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:286K  fairchild semi
 fdfm2n111.pdf pdf_icon

2N1111B

August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

Otros transistores... 2N1106 , 2N1107 , 2N1108 , 2N1109 , 2N111 , 2N1110 , 2N1111 , 2N1111A , A1015 , 2N1114 , 2N1115 , 2N1115A , 2N1116 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , 2N1119 .

History: 2SC3479 | KNLS350E | FD-1029JN

 

 
Back to Top

 


 
.