2N4423 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4423
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 12 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO106
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2N4423 Datasheet (PDF)
2n3866 2n4427.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET2N3866; 2N4427Silicon planar epitaxialoverlay transistors1995 Oct 27Product specificationSupersedes data of August 1986File under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationSilicon planar epitaxial2N3866; 2N4427overlay transistorsDESCRIPTION APPLICATIONSNPN overlay transistors in TO-39 metal packages wi
2n4427.pdf

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Liste
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