MP104 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP104
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO66
- Selección de transistores por parámetros
MP104 Datasheet (PDF)
dmp1045ufy4.pdf

DMP1045UFY4P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TA = 25C Fast Switching Speed 32m@ VGS = -4.5V -5.5A Low Input/Output Leakage -12V 45m@ VGS = -2.5V -4.5A ESD Protected Up To 3kV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 75m@ VGS = -1.8V -3.2A
dmp1045u.pdf

DMP1045U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 31m @ VGS = -4.5V 5.2A -12V Low Input/Output Leakage 45m @ VGS =-2.5V 4.3A ESD Protected Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Ha
dmp1046ufdb.pdf

DMP1046UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Max Height 61m @ VGS = -4.5V -3.8A P-Channel -12V 81m @ VGS = -2.5V -3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 115m @ VGS = -1.8V -2.8A Halogen and
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MJD122I | BSY42 | HPA150R | KRC868U | 2N342B | LDTC144EM3T5G | ECG175
History: MJD122I | BSY42 | HPA150R | KRC868U | 2N342B | LDTC144EM3T5G | ECG175



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569