MP110BR . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MP110BR
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 106 W
   Tensión colector-base (Vcb): 90 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MP110BR

MP110BR Datasheet (PDF)

9.1. Size:452K diodes
dmp1100ucb4.pdf

DMP1100UCB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ @VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits Built-in G-S Protection Diode against ESD 2kV HBM BVDSS RDS(ON) Qg Qgd ID Ultra Small 0.8mm x 0.8mm Package -12V 65m 9nC 2.4nC -3.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KTD1854T

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050