MP110BR Todos los transistores

 

MP110BR . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MP110BR
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 106 W
   Tensión colector-base (Vcb): 90 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 110 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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MP110BR Datasheet (PDF)

 9.1. Size:452K  diodes
 dmp1100ucb4.pdf pdf_icon

MP110BR

DMP1100UCB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ @VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits Built-in G-S Protection Diode against ESD 2kV HBM BVDSS RDS(ON) Qg Qgd ID Ultra Small 0.8mm x 0.8mm Package -12V 65m 9nC 2.4nC -3.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

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History: BUP23CF

 

 
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