MP4355 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP4355  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 75

Encapsulados: TO236

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MP4355

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MP4355 datasheet

 9.1. Size:241K  m-mos
 mmp4357.pdf pdf_icon

MP4355

MMP4357 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A =75m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A =105m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteris

 9.2. Size:230K  m-mos
 mmp4353.pdf pdf_icon

MP4355

MMP4353 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0 = 75m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 119m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance S0-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characterist

Otros transistores... MP4279, MP4280, MP4281, MP4282, MP4283, MP42A, MP42B, MP4354, 2SD313, MP4356, MP4401, MP4403, MP4888, MP4889, MP4890, MP4916, MP4917