2N1118 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N1118

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO5

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2N1118 datasheet

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2N1118

August 2005 FDFM2N111 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Applications FDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck Converter Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a Features MicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

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