2N1118A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1118A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N1118A
2N1118A Datasheet (PDF)
9.1. Size:286K fairchild semi
fdfm2n111.pdf
fdfm2n111.pdf
August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack
Otros transistores... 2N1111A , 2N1111B , 2N1114 , 2N1115 , 2N1115A , 2N1116 , 2N1117 , 2N1118 , 13003 , 2N1119 , 2N111A , 2N112 , 2N1120 , 2N1121 , 2N1122 , 2N1122A , 2N1123 .
