MPS4250 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPS4250
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 250
Encapsulados: TO92
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MPS4250 datasheet
mps4250.pdf
MPS4250 Transistor PNP Silicon Features This is a Pb-Free Device* http //onsemi.com COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc BASE Collector-Emitter Voltage VCES -40 Vdc 1 Collector-Base Voltage VCBO -40 Vdc EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -50 mAdc Total Device Dissipation @ T
mps4250r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPS4250/D Transistor MPS4250 PNP Silicon COLLECTOR 3 2 BASE 1 1 2 EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector Emitter Voltage VCES 40 Vdc Collector Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter Base Voltage VEBO
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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