MPS4257 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPS4257
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 12 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 700 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO92
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MPS4257 datasheet
mps4250r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPS4250/D Transistor MPS4250 PNP Silicon COLLECTOR 3 2 BASE 1 1 2 EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector Emitter Voltage VCES 40 Vdc Collector Base Voltage VCBO 40 Vdc Emitter Base Voltage VEBO
mps4250.pdf
MPS4250 Transistor PNP Silicon Features This is a Pb-Free Device* http //onsemi.com COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc BASE Collector-Emitter Voltage VCES -40 Vdc 1 Collector-Base Voltage VCBO -40 Vdc EMITTER Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC -50 mAdc Total Device Dissipation @ T
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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