MPS918R Todos los transistores

 

MPS918R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPS918R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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MPS918R Datasheet (PDF)

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MPS918R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMPS918/DAmplifier TransistorsMPS918*NPN SiliconMPS3563*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol MPS918 MPS3563 UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 15 12 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 30 30 VdcEmitterBase Vol

 8.1. Size:46K  onsemi
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MPS918R

MPS918, MPS3563MPS918 is a Preferred DeviceAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available* http://onsemi.comCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitBASECollector -Emitter Voltage VCEO VdcMPS918 151MPS3563 12EMITTERCollector -Base Voltage VCBO VdcMPS918 30MPS3563 30MARKINGDIAGRAMEmitter -Base Voltage VEBO VdcMPS9

 9.1. Size:158K  motorola
 mps911 mmbr911lt1.pdf pdf_icon

MPS918R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR911LT1/DThe RF LineMMBR911LT1NPN SiliconMPS911High-Frequency TransistorsDesigned for low noise, wide dynamic range frontend amplifiers andlownoise VCOs. Available in a surfacemountable plastic package, as well asIC = 60 mAthe popular TO226AA (TO92) package. This Motorola series of smallsig

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