MPSL01 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPSL01
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO92
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MPSL01 Datasheet (PDF)
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Discrete POWER & SignalTechnologiesMPSL01C TO-92BENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose, high voltageamplifiers and gas discharge display driving. Sourced fromProcess 16. See 2N5551 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 120 VV Collector
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR MPSL01TO-92CBECBEAmplifier Transistor.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 140 VCollector -Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter -Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current Continuous IC 150 mAPower
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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSL01/DAmplifier TransistorNPN SiliconMPSL01COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 1TO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 120 VdcCollectorBase Voltage VCBO 140 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuo
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History: PDTC143ZM | SBC328
Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050