MPSL07 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPSL07
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb): 6 V
Tensión colector-emisor (Vce): 6 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.08 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MPSL07
MPSL07 Datasheet (PDF)
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR MPSL01TO-92CBECBEAmplifier Transistor.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 140 VCollector -Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter -Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current Continuous IC 150 mAPower
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050